硒化镉量子点在介孔二氧化硅微球中的限制生长以制备多功能纳米结构（英文）

本文报道了一种新颖且便捷的将荧光半导体纳米晶包覆到二氧化硅球中进而制备多功能纳米结构的方法.从溶胶凝胶法合成二氧化硅微球开始,在聚合物配体保护下进行化学刻蚀从而获得介孔级孔道,然后将带有孔道的二氧化硅微球投入到制备Cd Se量子点的高温反应体系中,就可以直接在二氧化硅微球的孔道中生长尺寸均匀且具有高荧光产率的Cd Se纳米晶.研究发现二氧化硅微球中的孔道对于Cd Se量子点的生长有一定的抑制作用,因此与自由生长的量子点比较其荧光光谱会发生蓝移,二氧化硅微球中负载Cd Se量子点的数量可以通过选择不同刻蚀程度的二氧化硅微球来实现.这种纳米结构优点在于:不需要特殊的表面处理工艺,对于不同形貌及尺寸的二氧化硅微球具有普适性,对于纳米晶与主体材料的尺寸调控具有较高的灵活性,并且可以同时包裹其他功能材料,比如将磁性纳米粒子引入到该体系,合成了兼具磁学与光学性能的Fe3O4@Si O2/Cd Se复合纳米结构材料.该方法为制备多功能复合纳米结构材料提供了一个平台.