PMMA掺杂对P3HT／P（VDF—TrFE）复合薄膜阻变性能影响研究

PMMA掺杂对P3HT／P（VDF—TrFE）复合薄膜阻变性能影响研究

有机半导体／铁电复合薄膜展现其电双稳和整流特性，有望应用于阻变存储中．复合薄膜通常经由溶液沉积成膜，在薄膜沉积过程中，发生相分离：半导体相形成离散的连通薄膜上下表面的导电通道，其周围则由连续的铁电相环绕．离散半导体相的导电性由铁电相的极化状态调控，从而实现阻变特性．然而，相分离过程也导致粗糙的表面，从而产生大的漏电特性．为了进一步改善这类复合薄膜的电学性能，在P3HT／P（VDF—TrFE）复合薄膜中掺入PMMA．研究表明，少量PMMA掺杂有效提高了薄膜的电学稳定性，改善了阻态保持性能．过量PMMA掺杂则导致阻变性能丧失．提出结构模型阐述了三相组分在薄膜中的分布，合理解释了相关实验结果．...

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Veröffentlicht in:化学物理学报 2017, Vol.30 (2), p.200-206
1. Verfasser: 翁军辉 胡静航 张剑驰 蒋玉龙 朱国栋
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
旋涂
相分离
铁电／半导体复合薄膜
阻变
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:有机半导体／铁电复合薄膜展现其电双稳和整流特性，有望应用于阻变存储中．复合薄膜通常经由溶液沉积成膜，在薄膜沉积过程中，发生相分离：半导体相形成离散的连通薄膜上下表面的导电通道，其周围则由连续的铁电相环绕．离散半导体相的导电性由铁电相的极化状态调控，从而实现阻变特性．然而，相分离过程也导致粗糙的表面，从而产生大的漏电特性．为了进一步改善这类复合薄膜的电学性能，在P3HT／P（VDF—TrFE）复合薄膜中掺入PMMA．研究表明，少量PMMA掺杂有效提高了薄膜的电学稳定性，改善了阻态保持性能．过量PMMA掺杂则导致阻变性能丧失．提出结构模型阐述了三相组分在薄膜中的分布，合理解释了相关实验结果．
ISSN:1674-0068
2327-2244