含有超晶格电子势垒的In（0.83）Ga（0.17）As探测器暗电流仿真和验证（英文）

为了获得In_（0.83）Ga_（0.17）As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2016, Vol.35 (6), p.662-666
1. Verfasser:	李庆法李雪唐恒敬邓双燕曹高奇邵秀梅龚海梅
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	In0.83Ga0.17As探测器 TCAD仿真暗电流超晶格电子势垒
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Beschreibung
Zusammenfassung:	为了获得In_（0.83）Ga_（0.17）As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构.
ISSN:	1001-9014