锑化镓基半导体激光器高效率光束整形(英文)
锑化镓基半导体激光器发光波长为1.8~4μm,因为具有体积小、重量轻和电流驱动等优势,应用范围很广.但是单管激光器并不能提供满足实际应用的激光功率,因此需要将已经成功应用于近红外半导体激光器的光束合成方法移植到中红外波段.在各种光束合成方法中,高效率的光束整形都是重要基础.展示了一种采用多只单管半导体器件的高效率光束整形方法,并在实验中实现了1.94μm波长1.93 W连续光功率输出,整形效率高于90%.这个光束整形方法可以用于构建更复杂的光谱或相干光束合成....
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Veröffentlicht in: | 红外与毫米波学报 2016, Vol.35 (6), p.652-655 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 锑化镓基半导体激光器发光波长为1.8~4μm,因为具有体积小、重量轻和电流驱动等优势,应用范围很广.但是单管激光器并不能提供满足实际应用的激光功率,因此需要将已经成功应用于近红外半导体激光器的光束合成方法移植到中红外波段.在各种光束合成方法中,高效率的光束整形都是重要基础.展示了一种采用多只单管半导体器件的高效率光束整形方法,并在实验中实现了1.94μm波长1.93 W连续光功率输出,整形效率高于90%.这个光束整形方法可以用于构建更复杂的光谱或相干光束合成. |
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ISSN: | 1001-9014 |