（111）方向的InAs/GaSb超晶格材料电子结构的杂化泛函计算（英文）

采用电子密度泛函理论方法计算了一系列（111）方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernzerhof（HSE）杂化与对固体修正的Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）近似结合的杂化泛函显示了较传统PBE方法和若干其他杂化泛函更符合实验数据的结果.采用该方法研究了InAs/GaSb超晶格的带隙随超晶格周期厚度以及InAs/GaSb比例变化的规律.其结果与以往实验结果符合很好.这些结果表明HSE-PBEsol方法对于估计InAs/GaSb超晶格的电子性质适用....

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Veröffentlicht in:	红外与毫米波学报 2016, Vol.35 (6), p.646-651
1. Verfasser:	姚路驰周孝好陈效双
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	杂化泛函第一性原理方法类超晶格能带计算
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用电子密度泛函理论方法计算了一系列（111）方向的InAs/GaSb超晶格的电子结构和能带结构.将杂化泛函的计算结果与普通密度泛函方法的计算结果进行了比较.Heyd-Scuseria-Ernzerhof（HSE）杂化与对固体修正的Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE）近似结合的杂化泛函显示了较传统PBE方法和若干其他杂化泛函更符合实验数据的结果.采用该方法研究了InAs/GaSb超晶格的带隙随超晶格周期厚度以及InAs/GaSb比例变化的规律.其结果与以往实验结果符合很好.这些结果表明HSE-PBEsol方法对于估计InAs/GaSb超晶格的电子性质适用.
ISSN:	1001-9014