以石墨烯为碳源对SiC纳米颗粒的制备和表征

采用石墨烯和Si粉为原材料,利用气固法在无催化剂的条件下成功制备出耐高温、抗氧化、抗辐射的宽带隙半导体材料——Si C纳米颗粒,并研究不同的煅烧条件对实验样品的影响。实验样品经X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）以及拉曼光谱（Raman）等手段进行分析表征测试。结果表明,在没有催化剂参与的情况下,将石墨烯和Si粉置于石墨坩埚中,并抽真空10^（-3）Pa条件下成功制备了3C-Si C和2H-Si C混合晶型的纳米颗粒。