溅射条件对ZnO：Al薄膜生长和性能的影响

采用中频磁控溅射法在玻璃基体上制备Al掺杂ZnO薄膜（AZO）,分别利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线衍射仪（XRD）、分光光度计及霍尔测试系统研究不同沉积条件如样品台转速和靶-基距离对薄膜光学、电学、微观形貌及晶体结构的影响。XRD结果表明,所有AZO薄膜都呈c轴择优取向,薄膜的结晶度随着样品台转速的增大而降低,且晶粒呈非平衡状态生长。而在不同的靶-基距离时,薄膜具有相似的微观结构和表面形貌。当样品台转速为0、靶-基距离为7 cm时,AZO薄膜的光电性能最好,载流子浓度和霍尔迁移率分别为5.9×1020 cm-3和13.1 cm^2/（V·s）。研究结果表明,样品台转速是影响AZO膜的结构和性能的主要因素。