一维磁流体掺杂光子晶体缺陷模的磁控可调特性
磁流体的有效介电常数ε_(liq)与磁性粒子体积分数P和外加磁场因子α_‖有关。计算了水基MnFe_2O_4磁流体的有效折射率随纳米磁性粒子体积分数P和外加磁场强度因子α_‖的变化关系,发现通过调节α_‖的大小可实现不同纳米磁性粒子体积分数的磁流体具有相同的有效折射率。应用传输矩阵法,数值模拟了水基MnFe_2O_4磁流体中P为0.745时结构为(AB)~8C(BA)~8的一维磁流体掺杂光子晶体的透射谱。结果表明:缺陷模磁流体n_c的增大出现红移现象,即缺陷模中心波长随n_c的增大而变长,最大改变量为36.6 nm。讨论了缺陷模品质因子Q,发现缺陷模半峰值带宽不变,Q与缺陷模波长随n_c的变化...
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Veröffentlicht in: | 量子电子学报 2015, Vol.32 (3), p.347-351 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
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Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 磁流体的有效介电常数ε_(liq)与磁性粒子体积分数P和外加磁场因子α_‖有关。计算了水基MnFe_2O_4磁流体的有效折射率随纳米磁性粒子体积分数P和外加磁场强度因子α_‖的变化关系,发现通过调节α_‖的大小可实现不同纳米磁性粒子体积分数的磁流体具有相同的有效折射率。应用传输矩阵法,数值模拟了水基MnFe_2O_4磁流体中P为0.745时结构为(AB)~8C(BA)~8的一维磁流体掺杂光子晶体的透射谱。结果表明:缺陷模磁流体n_c的增大出现红移现象,即缺陷模中心波长随n_c的增大而变长,最大改变量为36.6 nm。讨论了缺陷模品质因子Q,发现缺陷模半峰值带宽不变,Q与缺陷模波长随n_c的变化具有相同的线性变化特性,即Q随有效折射率的增大而增大。 |
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ISSN: | 1007-5461 |