Germanium PMOSFETs with Low-Temperature Si2H6 Passivation Featuring High Hole Mobility and Superior Negative Bias Temperature Instability

We investigate negative bias temperature instability （NBTI） on high performance Ge p-channel metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （pMOSFETs） with low-temperature Si2H6 passivation. The Ge pMOSFETs exhibit an effective hole mobility of 311 cm2/V.s at an inversion charge density of 2.5...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理快报：英文版 2014-05 (5), p.191-194
1. Verfasser:	王洪娟 韩根全 刘艳 颜静 张春福 张进成 郝跃
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	pMOSFET 不稳定性 乙硅烷 低温 半导体场效应晶体管 机动性 负偏压温度 钝化温度
Online-Zugang:	Volltext
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