AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究

借助射频磁控溅射成功制备了 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对 AlN 薄膜压电性能和 FeCoSiB 薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500 ℃退火处理的 AlN 薄膜具有高度（002）择优取向和柱状生长结构; 经过 300 ℃退火后 FeCoSiB 薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数（αCME）在偏置磁场（Hdc）为 875 A/m 时达到最大值 62.5 A/（m·V）; 且磁感应强度（B）随交变电压（Vac）的变化呈现优异的线性响应（线性度达到 1.3%）。这种 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广...

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Veröffentlicht in:	无机材料学报 2013, Vol.28 (9), p.982-986
1. Verfasser:	童贝杨晓非林更琪陈实欧阳君
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	复合薄膜射频磁控溅射退火逆磁电
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	借助射频磁控溅射成功制备了 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对 AlN 薄膜压电性能和 FeCoSiB 薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500 ℃退火处理的 AlN 薄膜具有高度（002）择优取向和柱状生长结构; 经过 300 ℃退火后 FeCoSiB 薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数（αCME）在偏置磁场（Hdc）为 875 A/m 时达到最大值 62.5 A/（m·V）; 且磁感应强度（B）随交变电压（Vac）的变化呈现优异的线性响应（线性度达到 1.3%）。这种 AlN/FeCoSiB 磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广阔的应用前景。
ISSN:	1000-324X