高填充量BaxEuyC04Sb12方钴矿热电性能研究
利用熔融法和等离子放电烧结(SPS)制备单相双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料并测试其高温热电性能。实验发现,在高填充量下(x+y〉40%),材料在高温时具有高的功率因子(〉60W/(cm·K^2))。在方钴矿的晶格空洞中同时引入Ba和Eu两种填充原子,能增强晶格声子散射,从而大幅降低方钴矿的晶格热导。实验证实,BaxEuyC04Sbl2体系的晶格热导显著降低,其室温晶格热导最低达1.7W/(moK)。与此对应的是双原子填充BaxEuyC04Sbl2方钴矿材料的热电优值(ZT值)明显增大,其中Ba0.19Eu0.23Co4Sb12的ZT值在850K时达到了1.3。...
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Veröffentlicht in: | 无机材料学报 2013, Vol.28 (2), p.224-228 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
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Online-Zugang: | Volltext |
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Zusammenfassung: | 利用熔融法和等离子放电烧结(SPS)制备单相双原子填充BaxEuyCo4Sb12方钴矿材料并测试其高温热电性能。实验发现,在高填充量下(x+y〉40%),材料在高温时具有高的功率因子(〉60W/(cm·K^2))。在方钴矿的晶格空洞中同时引入Ba和Eu两种填充原子,能增强晶格声子散射,从而大幅降低方钴矿的晶格热导。实验证实,BaxEuyC04Sbl2体系的晶格热导显著降低,其室温晶格热导最低达1.7W/(moK)。与此对应的是双原子填充BaxEuyC04Sbl2方钴矿材料的热电优值(ZT值)明显增大,其中Ba0.19Eu0.23Co4Sb12的ZT值在850K时达到了1.3。 |
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ISSN: | 1000-324X |