模板法制备介孔VN纳米电极材料及其电容性能

模板法制备介孔VN纳米电极材料及其电容性能

以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,通过高温氨解还原V2O5前驱体制得了具有丰富介孔的VN纳米材料,采用XRD与TEM分析观察样品的结构和形貌,用N2吸附测试样品的比表面积和孔径分布.XRD分析表明,介孔VN纳米材料属于立方晶系的晶体结构.TEM和N2吸附测试结果表明,VN纳米材料的颗粒粒径大约为10 nm,比表面积为88 m2/g,有比较丰富的2~6 nm的介孔.在1 mol/L KOH电解液中进行循环伏安和恒流充放电测试研究其电容性能,结果显示,VN电极同时具有双电层电容性能和氧化–还原反应的准电容性能,1 mV/s的扫描速率下能获得517 F/g的比电容;当扫描速率增大到10 m...

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2012, Vol.27 (12), p.1261-1265
1. Verfasser: 高兆辉 张浩 曹高萍 韩敏芳 杨裕生
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
VN纳米晶
介孔材料
比电容
比表面积
电化学电容器
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Beschreibung
Zusammenfassung:以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,通过高温氨解还原V2O5前驱体制得了具有丰富介孔的VN纳米材料,采用XRD与TEM分析观察样品的结构和形貌,用N2吸附测试样品的比表面积和孔径分布.XRD分析表明,介孔VN纳米材料属于立方晶系的晶体结构.TEM和N2吸附测试结果表明,VN纳米材料的颗粒粒径大约为10 nm,比表面积为88 m2/g,有比较丰富的2~6 nm的介孔.在1 mol/L KOH电解液中进行循环伏安和恒流充放电测试研究其电容性能,结果显示,VN电极同时具有双电层电容性能和氧化–还原反应的准电容性能,1 mV/s的扫描速率下能获得517 F/g的比电容;当扫描速率增大到10 mV/s时,其比电容仍有275 F/g.
ISSN:1000-324X