Sb-SnO2包覆硅藻土多孔导电材料制备及表征

以硅藻土为基核采用共沉淀法,制备Sb-SnO2包覆前驱体,通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料.Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小,进而影响产物导阻率.采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征,采用四探针仪测试样品导电性能.当n（Sn）/n（Sb）=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 cm,并具有介孔结构,孔径为6 nm....

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Veröffentlicht in:	无机材料学报 2011, Vol.26 (10), p.1031-1036
1. Verfasser:	杜玉成颜晶孟琪李扬戴洪兴
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	Sb-SnO2包覆多孔结构导电性电阻率硅藻土
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	以硅藻土为基核采用共沉淀法,制备Sb-SnO2包覆前驱体,通过焙烧制备了多孔结构导电复合材料.Sb-SnO2包覆率影响产物导电性、焙烧温度影响Sb-SnO2晶胞参数和晶粒大小,进而影响产物导阻率.采用XRD、SEM、TEM、EDS、BET、FT-IR对样品进行了表征,采用四探针仪测试样品导电性能.当n（Sn）/n（Sb）=8/1、包覆率为25.8%、700℃焙烧样品电阻率最低为22 cm,并具有介孔结构,孔径为6 nm.
ISSN:	1000-324X