化学气相沉积法制备的块体Si-C-N陶瓷的热行为

采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD、SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明：在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-SiC就是从这种颗粒状的分离相中形成.在热处理条件下,非晶Si-C-N的晶化温度约为1200℃;在加热速率为20℃/min的连续加热条件下,其晶化温度为1372.6℃.β-SiC在1200℃首先形成,β-Si3N4和α-SiC则在1500℃形成.在扫描电镜观察中,热处理后的Si-C-N中出现一种类似于层状的组织,这种组织的晶化程度较高....

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Veröffentlicht in:	无机材料学报 2011, Vol.26 (7), p.779-784
1. Verfasser:	卢国锋乔生儒张程煜焦更生
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	Si-C-N陶瓷晶化热行为非晶态
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用化学气相沉积法制备了块体非晶态Si-C-N陶瓷.用TG/DSC、XRD、SEM和TEM等技术方法研究了所制备的Si-C-N陶瓷的热行为.研究结果表明：在热处理过程中,非晶态Si-C-N首先发生相分离,分离后的一种相呈颗粒状;β-SiC就是从这种颗粒状的分离相中形成.在热处理条件下,非晶Si-C-N的晶化温度约为1200℃;在加热速率为20℃/min的连续加热条件下,其晶化温度为1372.6℃.β-SiC在1200℃首先形成,β-Si3N4和α-SiC则在1500℃形成.在扫描电镜观察中,热处理后的Si-C-N中出现一种类似于层状的组织,这种组织的晶化程度较高.
ISSN:	1000-324X