射频磁控溅射制备层状Bi-Te薄膜及热电性能研究

采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜．以Bi2Te3为靶材，在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜，并利用x射线衍射、扫描电镜和x射线能谱等对样品进行了结构和成分分析，同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数．结果表明，基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一，较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高，400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优．然而，所有薄膜均显示不同程度偏离Bi：Te3的化学计量比而缺Te，优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能．...

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Veröffentlicht in:	无机材料学报 2011, Vol.26 (5), p.555-560
1. Verfasser:	张志伟王瑶邓元谭明
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	射频磁控溅射热电性能碲化铋薄膜
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用射频磁控溅射制备了具有特殊层状纳米结构的碲化铋热电薄膜．以Bi2Te3为靶材，在不同基底温度和沉积时间下制备了薄膜，并利用x射线衍射、扫描电镜和x射线能谱等对样品进行了结构和成分分析，同时测试了薄膜的电导率和Seebeck系数．结果表明，基底温度是影响薄膜微结构和热电性能的关键因素之一，较高的基底温度利于层状结构的形成和功率因子的提高，400℃基底温度下制备薄膜的功率因子最优．然而，所有薄膜均显示不同程度偏离Bi：Te3的化学计量比而缺Te，优化薄膜成分有望进一步提高薄膜的热电性能．
ISSN:	1000-324X