Cr~（3＋）掺杂对快速生长KDP晶体的生长习性和光学性能的影响

Cr~（3＋）掺杂对快速生长KDP晶体的生长习性和光学性能的影响

采用快速法生长了掺杂不同Cr3＋浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体（100）面在不同Cr3＋掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3＋掺杂的KDP晶体的Cr3＋元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3＋易吸附在晶体（100）面,从而增大了（100）生长死区,并降低了（100）面生长速度.Cr3＋使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线.元素分析表明Cr3＋更容易通过柱面生长进入晶体,从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650 nm三处吸收峰的出现.Cr3＋进入晶体后使晶体中散射颗粒增多,基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr3...

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Veröffentlicht in:无机材料学报 2011, Vol.26 (4), p.354-358
1. Verfasser: 丁建旭 刘冰 王圣来 牟晓明 顾庆天 许心光 孙洵 孙云 刘文洁 刘光霞 朱胜军
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
KDP晶体
光学性能
快速生长
掺杂
生长习性
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Beschreibung
Zusammenfassung:采用快速法生长了掺杂不同Cr3＋浓度的KDP晶体,测试了KDP晶体（100）面在不同Cr3＋掺杂浓度下的生长速度及死区,表征了Cr3＋掺杂的KDP晶体的Cr3＋元素分布、透过光谱、散射颗粒分布和光损伤阈值.实验表明Cr3＋易吸附在晶体（100）面,从而增大了（100）生长死区,并降低了（100）面生长速度.Cr3＋使快速生长的晶体产生柱、锥面生长区分界线.元素分析表明Cr3＋更容易通过柱面生长进入晶体,从而导致晶体在可见光波段及紫外波段透过率的降低,最明显的是在220、450和650 nm三处吸收峰的出现.Cr3＋进入晶体后使晶体中散射颗粒增多,基频和三倍频脉冲激光照射下晶体的损伤阈值随Cr3＋掺杂浓度的增加而降低,且柱面区的损伤阈值要低于锥面区的损伤阈值.
ISSN:1000-324X