氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化，利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显徽镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的榉品表面，结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下，氮气才能与硅表面发生反应，生成氮花硅(Si3N4)薄膜，否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应，生成二氧化硅(SiO2)薄膜．...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2003, Vol.24 (10), p.1049-1052
1. Verfasser: 祝洪良 杨德仁 汪雷 裴艳丽 阙端麟 张寒洁 何丕模
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
X射线光电子谱
氮化
氮化硅
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化，利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显徽镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的榉品表面，结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下，氮气才能与硅表面发生反应，生成氮花硅(Si3N4)薄膜，否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应，生成二氧化硅(SiO2)薄膜．
ISSN:1674-4926