SOI MOSFET的失真行为

SOI MOSFET的失真行为

采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究，发现随着沟道长度的减小失真行为变坏，且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为．同时，从实验数据可以看出，不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏．该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向．...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2003, Vol.24 (8), p.809-812
1. Verfasser: 张国艳 黄如 张兴 王阳元
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
MOSFET
SOI
失真行为
幂级数
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Beschreibung
Zusammenfassung:采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究，发现随着沟道长度的减小失真行为变坏，且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为．同时，从实验数据可以看出，不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏．该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向．
ISSN:1674-4926