量子点的形成对Si／Ge界面互扩散的影响

量子点的形成对Si／Ge界面互扩散的影响

在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层，高温退火形成量子点，我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象，实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散，通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点，而不是纯Ge量子点。...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2002, Vol.23 (7), p.731-734
1. Verfasser: 周星飞 施斌 等
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
Si／Ge界面互扩散
分子束外延
喇曼光谱
硅衬底
量子点
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Beschreibung
Zusammenfassung:在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层，高温退火形成量子点，我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象，实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散，通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点，而不是纯Ge量子点。
ISSN:1674-4926