非掺及掺铁磷化铟中的残留施主缺陷

用辉光放电质谱（GDMS）测量了原生液封直接（LEC）磷化铟（InP）的杂质含量。利用霍尔效应测到的非掺LEC－InP的自由电子浓度明显高于净施主杂质的浓度。在非掺和掺铁InP中都可以用红外吸收谱测得浓度很高的一个氢－铟空位复合体施主缺陷。这个施主的浓度随着电离的铁受主Fe^2+浓度的增加而增加。这些结果表明半绝缘体中氢－铟空位复合体施主缺陷的存在对铁掺杂农度和电学补偿都有重要影响。