Carrier Depth Profile of Si／SiGe／Si n—p—n HBT Structura

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2000, Vol.21 (11), p.1050-1054
1. Verfasser:	林燕霞 黄大定
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	ECV GSMBE HBJ 结构材料 锗化硅
Online-Zugang:	Volltext
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