MOSFET热载流子退化／寿命模型参数提取
基于ＭＯＳＦＥＴ热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔＩｄｓ／Ｉｄｓｏ、Ｉｓｕｂ等实测数据的拟合处理，发现了可表征退化物理意义的衬底电流与退化／寿命参数提取模型；进而由自动测试ＡＴＥ与ＣＡＤ技术相结合的监测系统，实现了载流子速度饱和临界电场Ｅｃｒｉｔ、有效导电长度Ｌｃ和寿命因子Ｈ、ｍ、ｎ提取，实验研究结果表明，模型及提取参数合理可信，并可进一步应用于ＭＯＳＦＥＴ及其电路的退化／...
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| Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2000, Vol.21 (3), p.268-273 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | 基于ＭＯＳＦＥＴ热载流子可靠性物理，并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔＩｄｓ／Ｉｄｓｏ、Ｉｓｕｂ等实测数据的拟合处理，发现了可表征退化物理意义的衬底电流与退化／寿命参数提取模型；进而由自动测试ＡＴＥ与ＣＡＤ技术相结合的监测系统，实现了载流子速度饱和临界电场Ｅｃｒｉｔ、有效导电长度Ｌｃ和寿命因子Ｈ、ｍ、ｎ提取，实验研究结果表明，模型及提取参数合理可信，并可进一步应用于ＭＯＳＦＥＴ及其电路的退化／ |
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| ISSN: | 1674-4926 |