CVI B－C基体改性2D C／SiC在低温湿氧中的自愈合行为

针对C／SiC低温氧化易失效的不足，研究了CVIB—C基体改性2DC／SiC在700℃湿氧中100MPaF加载至60h的氧化行为，利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征，揭永了演变规律．研究表明，CVIB－C基体改性使C／SiC低温抗氧化能力显著提升．基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道，而后可被B－C氧化产物B2O3封填，抑制内部C消耗．CVIB—C与其氧化产物一同参与缺陷愈合．在60h内，B—C改性层愈合能力尚未完全发挥，可服役更长时间．...

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Veröffentlicht in:	Wu ji cai liao xue bao 2010 (11), p.1199-1203
1. Verfasser:	李思维张立同刘永胜成来飞冯祖德栾新刚张伟华杨文彬
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	B－C涂层 CVI C／SiC复合材料 SEM TEM 基体改性自愈合
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Beschreibung
Zusammenfassung:	针对C／SiC低温氧化易失效的不足，研究了CVIB—C基体改性2DC／SiC在700℃湿氧中100MPaF加载至60h的氧化行为，利用SEM和TEM观察了改性材料不同服役时间的微结构特征，揭永了演变规律．研究表明，CVIB－C基体改性使C／SiC低温抗氧化能力显著提升．基体裂纹及其在应力加载下的开裂均为氧化气体提供进入通道，而后可被B－C氧化产物B2O3封填，抑制内部C消耗．CVIB—C与其氧化产物一同参与缺陷愈合．在60h内，B—C改性层愈合能力尚未完全发挥，可服役更长时间．
ISSN:	1000-324X