MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面表征

采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征，将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度与界面粗糙度的关系．掠入射X射线反射谱的显著强度振荡与原子力显微镜所观察到的台阶流动形貌表明了平整的界面和表面的存在．研究发现，低Al组分（x=0．15）阱宽小的样品界面与表面粗糙度最小．...

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Veröffentlicht in:	厦门理工学院学报 2010, Vol.18 (1), p.27-31
1. Verfasser:	王元樟李金钗李书平陈航洋刘达艺康俊勇
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	GaN基半导体原子力显微镜异质结构掠入射X射线反射谱高分辨率X射线衍射
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用掠入射X射线反射谱技术和原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD Alx Ga1-xN／GaN超晶格结构的界面与表面进行了表征，将反射谱数据与X射线衍射结果结合获得了垒层组分及阱层宽度与界面粗糙度的关系．掠入射X射线反射谱的显著强度振荡与原子力显微镜所观察到的台阶流动形貌表明了平整的界面和表面的存在．研究发现，低Al组分（x=0．15）阱宽小的样品界面与表面粗糙度最小．
ISSN:	1673-4432