Characterization of quaternary AlInGaN epilayers and polarization-reduced InGaN/AlInGaN MQW grown by MOCVD

We have demonstrated the growth of quaternary AIlnGaN compounds at different growth temperatures and pressures with metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. The optical properties of the samples have been investigated by photoluminescence （PL） at different temperatures. The results show that...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2009-11, Vol.30 (11), p.21-25
1. Verfasser:	刘乃鑫 王军喜 闫建昌 刘喆 阮军 李晋闽
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	InGaN MOCVD生长 发光二极管 多量子阱 氮化铟镓 第四纪 表征 金属有机物化学气相沉积
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