Design and analysis of a highly-integrated CMOS power amplifier for RFID readers

To implement a fully-integrated on-chip CMOS power amplifier（PA） for RFID readers,the resonant frequency of each matching network is derived in detail.The highlight of the design is the adoption of a bonding wire as the output-stage inductor.Compared with the on-chip inductors in a CMOS process,the...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2009-06, Vol.30 (6), p.121-125
1. Verfasser:	高同强 张春 池保勇 王志华
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	CMOS功率放大器 CMOS工艺 E类功率放大器 RFID 最大输出功率 设计 阅读器 高度集成
Online-Zugang:	Volltext
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