UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm^-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm^-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件....
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| Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2008, Vol.29 (2), p.315-318 |
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| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
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| creator | 周志文 蔡志猛 张永 蔡坤煌 周笔 林桂江 汪建元 李成 赖虹凯 陈松岩 余金中 王启明 |
| description | 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm^-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm^-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件. |
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