UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm^-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm^-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件....

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Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2008, Vol.29 (2), p.315-318
1. Verfasser:	周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	弛豫缓冲层锗锗硅异质外延
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm^-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm^-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
ISSN:	1674-4926