近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时，由于CdTe源在有02的环境下多次使用，造成了源表面氧化，进而失效，严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能．文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能．结果表明：多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势，源表面有CdO粉末的存在，经Hz在一定条件的高温还原，可以去除表面的氧化物，为源的重复使用奠定基础．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2008, Vol.29 (1), p.133-135
1. Verfasser:	曾广根黎兵郑家贵李愿杰张静全李卫雷智武莉莉蔡亚平冯良桓
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	CdO CdTe 近空间升华
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时，由于CdTe源在有02的环境下多次使用，造成了源表面氧化，进而失效，严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能．文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能．结果表明：多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势，源表面有CdO粉末的存在，经Hz在一定条件的高温还原，可以去除表面的氧化物，为源的重复使用奠定基础．
ISSN:	1674-4926