干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征
SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台，通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×10^5cm^-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层，通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制。...
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| Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2007, Vol.28 (12), p.1937-1940 |
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| Format: | Artikel |
| Sprache: | chi |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext |
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| Zusammenfassung: | SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台，通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,位错密度小于1.2×10^5cm^-2的Ge组分渐变SiGe弛豫缓冲层，通过对不同氧化时间的样品的表征,分析了氧化过程中SiGe应变弛豫的主要机制。 |
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| ISSN: | 1674-4926 |