退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响

在Si(100)衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h,用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射(RBS)测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像,扫描电镜(SEM)观察和X射线衍射(XRD)测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构,由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2007, Vol.28 (12), p.1888-1894
1. Verfasser: 张晋敏 谢泉 曾武贤 梁艳 张勇 余平 田华
Format: Artikel
Sprache:chi
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Beschreibung
Zusammenfassung:在Si(100)衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h,用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射(RBS)测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像,扫描电镜(SEM)观察和X射线衍射(XRD)测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构,由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。
ISSN:1674-4926