具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP／GaAsHBT微波功率管单胞．依据K稳定因子，RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性．Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性，在5．4GHz饱和输出功率为30dBm，在11GHz ldB压缩点输出功率大于21．6dBm．功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性，非常适合制作微波大功率HBT放大器．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2006, Vol.27 (12), p.2075-2079
1. Verfasser: 陈延湖 申华军 王显泰 葛霁 李滨 刘新宇 吴德馨
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
HBT
微波功率管
稳定性
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP／GaAsHBT微波功率管单胞．依据K稳定因子，RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性．Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性，在5．4GHz饱和输出功率为30dBm，在11GHz ldB压缩点输出功率大于21．6dBm．功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性，非常适合制作微波大功率HBT放大器．
ISSN:1674-4926