Zn0．9Mg0．1O：Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究

Zn0．9Mg0．1O：Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究

利用脉冲激光沉积法（PLD）制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O（ZMO：Ga）宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明，制备的薄膜具有ZnO（002）择优取向；200℃下沉积的薄膜通过3×10^-3Pa的真空400℃退火2h后，其电阻率由8．12×10^-4Ω·cm减小到4．74×10^-4Ω·cm，禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV．退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Wu ji cai liao xue bao 2006, Vol.21 (3), p.707-712
1. Verfasser: 陈志强 方国家 李春 盛苏 赵兴中
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
ZnMgO：Ga膜
沉积温度
真空退火
脉冲激光沉积
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Beschreibung
Zusammenfassung:利用脉冲激光沉积法（PLD）制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O（ZMO：Ga）宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明，制备的薄膜具有ZnO（002）择优取向；200℃下沉积的薄膜通过3×10^-3Pa的真空400℃退火2h后，其电阻率由8．12×10^-4Ω·cm减小到4．74×10^-4Ω·cm，禁带宽度则由原来的3．83eV增加到3．90eV．退火处理增强了薄膜的择优取向和结晶度、增加了禁带宽度、提高了载流子浓度并使其透射谱线的光学吸收边发生蓝移现象．
ISSN:1000-324X