一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法

提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤．其原理是：经过研磨和化学机械抛光后，起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖，劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到．采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤，其能够测量的最小损伤深度为几百纳水．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2006, Vol.27 (3), p.506-510
1. Verfasser:	霍凤伟康仁科郭东明赵福令金洙吉
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	亚表面损伤劈尖干涉硅片缺陷腐蚀角度抛光
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤．其原理是：经过研磨和化学机械抛光后，起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖，劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；角度抛光的倾斜角可通过劈尖上面产生的干涉条纹准确地测量得到．采用这种方法可以方便、准确地测量硅片由切割、研磨和磨削引起的亚表面损伤，其能够测量的最小损伤深度为几百纳水．
ISSN:	1674-4926