快速热处理工艺下直拉单晶硅中铜、镍对氧沉淀的影响

研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响．实验结果表明：在快速热处理工艺下。间隙铜对氧沉淀几乎没有影响，铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成；而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响．基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论，对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2006, Vol.27 (3), p.413-418
1. Verfasser:	吴冬冬杨德仁席珍强阙端麟
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	Cu Ni 单晶硅氧沉淀
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响．实验结果表明：在快速热处理工艺下。间隙铜对氧沉淀几乎没有影响，铜沉淀却能显著地促进氧沉淀的形成；而间隙镍或镍沉淀对氧沉淀的形成都没有影响．基于实验结果并结合氧沉淀的形核理论，对金属铜、镍对氧沉淀的影响机理进行了解释．
ISSN:	1674-4926