适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法

采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少方程的求解时间．

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2006, Vol.27 (2), p.354-357
1. Verfasser:	于宗光刘战王国章须自明
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	ADI RESURF SOI 击穿电压高阶紧致差分
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Beschreibung
Zusammenfassung:	采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压．数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约40％，并明显减少方程的求解时间．
ISSN:	1674-4926