快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响

研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快速预热处理后，再经过800℃（4h）＋1000℃（16h）常规退火，以形成MDZ．研究发现，当硅片在Ar气氛或N2／O2（9％）混合气氛下RTA预处理后，FPDs密度较低，随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽．对于N2／O2混和气氛，随着O2含量的增加，FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小，纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低．因此，可以通过调节N2／O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺...

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Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2006, Vol.27 (1), p.73-77
1. Verfasser: 张建强 刘彩池 周旗钢 王敬 郝秋艳 孙世龙 赵丽伟 滕晓云
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
CZSi
MDZ
快速热处理
流动图形缺陷
空洞型微缺陷
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Beschreibung
Zusammenfassung:研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快速预热处理后，再经过800℃（4h）＋1000℃（16h）常规退火，以形成MDZ．研究发现，当硅片在Ar气氛或N2／O2（9％）混合气氛下RTA预处理后，FPDs密度较低，随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽．对于N2／O2混和气氛，随着O2含量的增加，FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小，纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低．因此，可以通过调节N2／O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度．
ISSN:1674-4926