折射率缓变波导层分别限制单量子阱半导体激光器的模式分析

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 1989, Vol.10 (12), p.892-903
1. Verfasser:	郭长志 陈水莲
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	半导体 模式分析 激光器 量子阱
Online-Zugang:	Volltext
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