多晶CdS／CdTe异质结界面的能带偏移

多晶CdS／CdTe异质结界面的能带偏移

采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构、电子学性质．获得的CdS，／CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0．98eV±0．05eV，导带偏移AEc=0．07±0．1eV．...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of semiconductors 2005, Vol.26 (6), p.1144-1148
1. Verfasser: 黄代绘 吴海霞 李卫 冯良桓
Format: Artikel
Sprache:chi
Schlagworte:
Cds／CdTe异质结
价带偏移
导带偏移
真空沉积
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe，并对其结构和光学性质进行了研究．原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS／CdTe异质结，研究了其结构、电子学性质．获得的CdS，／CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0．98eV±0．05eV，导带偏移AEc=0．07±0．1eV．
ISSN:1674-4926