部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性

分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管．在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性．通过使用二维工艺器件模拟，并测量漏体结的击穿特性，详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制．在此基础上，提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法．...

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Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2005, Vol.26 (4), p.656-661
1. Verfasser:	吴峻峰钟兴华李多力康晓辉邵红旭杨建军海潮和韩郑生
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	H—gate 击穿硅化物部分耗尽SOI体接触
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管．在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性．通过使用二维工艺器件模拟，并测量漏体结的击穿特性，详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制．在此基础上，提出了一个提高PD-SOI体接触nMOS击穿特性的方法．
ISSN:	1674-4926