半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响

研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD：10^3～10^4cm^-2量级)，用KOH腐蚀液显示位错(EPD：10^4cm^-2量级)，发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响．随着AB-EPD的增大，跨导、饱和漏电流变小，夹断电压的绝对值也变小．利用扫描光致发光光谱(PL mapping)对衬底质量进行了测量，结果表明衬底参数好的样品，PL参数好，相应器件的参数也好，从而有可能制作出良好的器件．...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2005, Vol.26 (1), p.72-77
1. Verfasser:	徐岳生付生辉刘彩池王海云魏欣郝景臣
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	AB-EPD LEC SI-GaAs 位错夹断电压跨导饱和漏电流
Online-Zugang:	Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:	研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD：10^3～10^4cm^-2量级)，用KOH腐蚀液显示位错(EPD：10^4cm^-2量级)，发现衬底上的AB微缺陷对器件性能及均匀性有显著影响．随着AB-EPD的增大，跨导、饱和漏电流变小，夹断电压的绝对值也变小．利用扫描光致发光光谱(PL mapping)对衬底质量进行了测量，结果表明衬底参数好的样品，PL参数好，相应器件的参数也好，从而有可能制作出良好的器件．
ISSN:	1674-4926