1.5 {\mu}m Epitaxially Regrown Photonic Crystal Surface Emitting Laser Diode
We present an InP-based epitaxially regrown photonic crystal surface emitting laser diode, lasing in quasi- CW conditions at 1523nm.
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Veröffentlicht in: | arXiv.org 2020-10 |
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Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext |
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