1.5 {\mu}m Epitaxially Regrown Photonic Crystal Surface Emitting Laser Diode

We present an InP-based epitaxially regrown photonic crystal surface emitting laser diode, lasing in quasi- CW conditions at 1523nm.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:arXiv.org 2020-10
Hauptverfasser: Bian, Zijun, Rae, Katherine J, McKenzie, Adam F, King, Ben C, Babazadeh, Nasser, Li, Guangrui, Orchard, Jonathan R, Gerrard, Neil D, Thoms, Stephen, McLaren, Donald A, Taylor, Richard J E, Childs, David, Hogg, Richard A
Format: Artikel
Sprache:eng
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Beschreibung
Zusammenfassung:We present an InP-based epitaxially regrown photonic crystal surface emitting laser diode, lasing in quasi- CW conditions at 1523nm.
ISSN:2331-8422
DOI:10.48550/arxiv.2010.09306