Two-Dimensional Si-Ge Monolayers: Stabilities, Structures and Electronic Properties

Two-Dimensional Si-Ge Monolayers: Stabilities, Structures and Electronic Properties

Si-Ge monolayers (SiGeM) with different elementary proportion x (0

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:arXiv.org 2020-04
Hauptverfasser: Lu, Jiating, Zhang, Xi, Shen, Limeng, Nie, Ya, Xiang, Gang
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Dependence
Electronic devices
Energy gap
Germanium
Honeycomb structures
Infrared imagery
Miscibility
Monolayers
Physics - Materials Science
Properties (attributes)
Silicon
Two dimensional materials
Online-Zugang:Volltext
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Beschreibung
Zusammenfassung:Si-Ge monolayers (SiGeM) with different elementary proportion x (0
ISSN:2331-8422
DOI:10.48550/arxiv.1911.05261