ELECTRONIC PROPERTIES OF Sn- OR Ge-DOPED In_2O_3 SEMICONDUCTORS

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Active and Passive Electronic Components 1993-12, Vol.1993, p.g41-47
Hauptverfasser:	S.J. WEN, G. CAMPET
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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