ニホンナシ系統TH3と少低温要求性タイワンナシ横山のF1における自発休眠特性

‘おさ二十世紀’の自殖後代でS4sm遺伝子をホモで持つニホンナシ系統TH3，台湾在来ナシ横山，およびそれらの交雑によって得られたF1系統群の萌芽率を3年間にわたり調査した．F1個体は，S遺伝子の判定とSSRマーカーによる親子鑑定の結果から，全個体がこの両親に由来する後代であると同定された．全調査日において横山の萌芽率は60％以上であり，11月下旬～1月上旬までの間に自発休眠に導入されなかった．一方，TH3の萌芽率は常に横山に比べて低く，その値は12月上旬～1月上旬にかけて徐々に上昇した．いずれの調査日ともに，F1個体が示す萌芽率は横山とTH3の萌芽率の間に広く分布した．全9回の調査日のうち8回の調査日において，F1個体の萌芽率の平均値は横山よりTH3の萌芽率に近い値を示した．そこで，TH3が自発休眠の深度に関する優性遺伝子をホモで持つと仮定してχ2検定を行ったが，この仮定は棄却された．これらの結果から，低温要求量を決める遺伝要因にはQTLが存在すると考えられた．多くのF1個体の落葉期は，TH3の落葉日に比べて横山の落葉日に近かった．一方，F1個体の展葉期は，横山とTH3の展葉日のほぼ中間にあたる4月9日に集中していた．