Wachstum und Spektroskopie von Quantenpunkten hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen von Neugirg, Christian

Transportuntersuchungen an strukturierten Halbleiterheterostrukturspaltkanten von Lermer, Markus

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Querschnitts-Raster-Tunnel-Mikroskopie an Silizium-Spaltflächen von Nuffer, Roland

Elektronische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen von Rother, Martin

Optische Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hergestellt durch Überwachsen von Spaltflächen von Schedelbeck, Gert

Niedrigdimensionale Halbleiterstrukturen durch Wachstum auf Spaltflächen von Wegscheider, Werner

Winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie an YBa 2 Cu 3 O 7-delta (001)Spaltflächen von Schroeder, Norbert

Quantitative Untersuchung von Defekten auf Oberflächen von III - V-Verbindungshalbleitern mit dem Rastertunnelmikroskop von Ebert, Philipp

Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf GaAs(110)-Spaltflächen von Platen, Wolfgang

Untersuchung tiefer Störstellen an Schottky-Dioden auf Ga-As(110)-Spaltflächen von Platen, Wolfgang

Die Adsorption von Wasserstoff auf reinen Silizium-Spaltflächen von Schulze, Günther

Untersuchungen zur Korrelation von Oberflächenzuständen mit der Struktur reiner und Cs-bedeckter Si-Spaltflächen von Assmann, Jürgen

Untersuchung der Sauerstoffadsorption auf atomar gestuften Silizium-111- spaltflächen mit der Augerelektronenspektroskopie von Kasupke, Norbert

Untersuchung der Sauerstoffadsorption auf atomar gestuften Silizium-111-Spaltflächen mit der Augerelektronenspektroskopie von Kasupke, Norbert

Spektroskopische Untersuchungen von Oberflächenzuständen an der reinen Siliziumspaltfläche mit Hilfe der Oberflächenphotospannung von Clabes, Joachim

Untersuchung der Sauerstoffadsorption auf atomar gestuften Silizium-111-Spaltflächen mit der Augerelektronenspektroskopie von Kasupke, Norbert

Charakterisierung eines metastabilen He-Atom-Düsenstrahls und Streuung metastabiler He-Atome an einer NiO(100)-Spaltfläche und einer Cu(100)-Oberfläche von Fouquet, Peter

Quantitative Untersuchung von Defekten auf Oberflächen von III - V-Verbindungshalbleitern mit dem Rastertunnelmikroskop von Ebert, Philipp

Spitzenkontaktkennlinien und Oberflächenzustände an reinen Germaniumspaltflächen von Kirchner, Dietrich

Photoemissionsspektroskopie zur Untersuchung der Schottky-Barrieren von Zinn und Antimon auf GaAs-110-Flächen von Mattern-Klosson, Monika