Abbildung der strukturellen Eigenschaften von SiC mittels IR-Nahfeldmikroskopie von Huber, Andreas

Siliziumkarbid (4H) Einkristallzüchtung, Defektcharakterisierung und Auswirkungen der Defekte auf die Eigenschaften elektronischer Bauelemente von Kuhn, Harald 1965-

Deep defect centers in 4H and 6H silicon carbide von Dalibor, Thomas 1968-

Theoretische Untersuchung von Monovakanzen in SiC-Polytypen von Zywietz, Andreas 1966-

Nichtlineare Propagationseffekte ultrakurzer Laserpulse, deren quantitative Bestimmung und Anwendungsmöglichkeiten von Niedermeier, Stefan 1969-

Elektrische und optische Charakterisierung bauelement-relevanter Dotierstoffe in Siliciumkarbid von Troffer, Thomas 1967-

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Monte-Carlo-Simulation von Schichtstrukturen das ANNNI-Modell für SiC-Polytypen von Hammrich, Oliver 1967-

Numerische Simulation und Analyse bipolarer 4H-SiC-Leistungsbauelemente von Mottok, Jürgen ca. 20./21. Jh

Polytypie in supraleitenden Zinndiselenid-Cobaltocen-Interkalationsverbindungen von Altmannshofer, Sandra 1974-

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Artificially layered heteropolytypic structures based on SiC polytypes molecular beam epitaxy, characterization and properties von Fissel, Andreas 1957-

Elektrische und optische Charakterisierung intrinsischer Defekte in 6H-SiC von Frank, Thomas 1971-

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Wachstumsphänomene und Stickstoffdotierung bei der Sublimationszüchtung von 6H-Siliciumcarbid von Schulz, Detlev

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Sublimationszüchtung und Charakterisierung von 4H- und 6H-Siliciumkarbid-Einkristallen von Heydemann, Volker D.

Siliziumkarbid strukturelle und elektronische Eigenschaften verschiedener Polytypen von Käckell, Peter

Polytypenberechnung bei Verbindungen des Typs MXn und Strukturuntersuchungen an Übergangsmetallverbindungen von Conradi, Elke

Polymorphism and polytypism in crystals von Verma, Ajit R., Krishna, Padmanabhan

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Einfluss von Strahlungsdefekten und Isotopenzusammensetzung auf die Tieftemperaturphotolumineszenz von SiC von Sadowski, Horst 1969-

Near thermal equilibrium growth of 4H-, 6H-, and 15R-silicon carbide single crystals sublimation growth of bulk SiC by modified Lely method and the structural, electrical, and opti... von Schulze, Norbert

Wachstumsphänomene und Stickstoffdotierung bei der Sublimationszüchtung von 6H-Siliciumcarbid von Schulz, Detlev 1963-

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Untersuchungen der ferroischen Eigenschaften der Polytypen des Antimon(III)-Oxid-Jodids Sb5O7J von Bußmann, Annette