Numerische, analytische und empirische Modellierung des Heißcrimpprozesses von Spreng, Simon

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Molekularstrahlepitaxie von II-VI-Verbindungen auf der Basis von HgSe und deren Anwendung in ohmschen Kontakten auf p-ZnSe von Einfeldt, Sven

Untersuchungen zur Reduktion des p-seitigen Kontaktwiderstands bei GaN-basierten Halbleiterlasern von Weimar, Andreas 1973-

Charakterisierung von ohmschen Titan-Aluminium-Kontakten auf Silizium-dotiertem Galliumnitrid mit der Augerelektronenspektroskopie und der energiefilternden Transmissionselektronen... von Blome, Markus

Hochtemperaturstabile ohmsche Kontakte zu 6H-SiC von Kriz, Jakob 1967-

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Molekularstrahlepitaxie von II - VI-Verbindungen auf der Basis von HgSe und deren Anwendung in ohmschen Kontakten auf p-ZnSe von Einfeldt, Sven

Ohmsche Kontakte auf n- und p-leitendem Indiumphosphid von Kuphal, Eckart

Charakterisierung und Modellierung von Ti/Al-basierten ohmschen Kontaktgebieten auf p-dotiertem 4H-Siliciumcarbid von Kocher, Matthias

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Mittels metallorganischer Gasphasen-Epitaxie hergestellte nicht legierte Ohmsche Kontakte auf GaAs und GaAlAs von Escobosa Echavarría, Arturo

Untersuchungen zur Reduktion des p-seitigen Kontaktwiderstands bei GaN-basierten Halbleiterlasern von Weimar, Andreas 1973-

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Röntgenreflektometrie und Ionenstrahlmischen an ohmschen Kontakten auf GaAs von Pirling, Thilo

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Molekularstrahlepitaxie von II-VI-Verbindungen auf der Basis von HgSe und deren Anwendung in ohmschen Kontakten auf p-ZnSe von Einfeldt, Sven