The Thermoballistic Transport Model A Novel Approach to Charge Carrier Transport in Semiconductors von Lipperheide, Reinhard, Wille, Uwe

DE-91
DE-703
Volltext

Grid adaption for the stationary two-dimensional drift-diffusion model in semiconductor device simulation von Schmithüsen, Bernhard 1962-

Grid adaptation for the stationary two-dimensional drift diffusion model in semiconductor device simulation von Schmithüsen, Bernhard 1962-

Eindeutigkeit und Bifurkation bei den stationären Halbleiter-Gleichungen mit gemischten Randwerten von Ashhab, Saleem al-

A hybrid finite element method to solve the stationary semiconductor equations including galvanometric effects von Sartoris, Guido E.

Mikroskopisch-makroskopische Simulation von Nanobauelementen von Pigorsch, Carsten

Inhaltsverzeichnis

Globale Approximation des Ladungstransportes in Halbleitern bei periodischer Anregung von Schlett, Manfred

Inhaltsverzeichnis

Eindeutigkeit und Bifurkation bei den stationären Halbleiter-Gleichungen mit gemischten Randwerten von Ashhab, Saleem al-

A hybrid finite element method to solve the stationary semiconductor equations including galvanometric effects von Sartoris, Guido Ettore

The thermoballistic transport model a novel approach to charge carrier transport in semiconductors von Lipperheide, Reinhard, Wille, Uwe

Modelling Nano-LEDs von Steiger, Sebastian 1981-

Kurzbeschreibung
Inhaltsverzeichnis

Numerische Simulation elektronischer Bauelemente von Klix, Wilfried

Grid adaptation for the stationary two-dimensional drift diffusion model in semiconductor device simulation von Schmithüsen, Bernhard 1962-

Eindeutigkeit und Bifurkation bei den stationären Halbleiter-Gleichungen mit gemischten Randwerten von Al-ashhab, Saleem